Jako třída optoelektronických integrovaných zařízení tranzistory s organickým -emitujícím polem-efektem pole (OLET) integrují dvě funkce zařízení, tranzistory s efektem organického pole- (OFET) a organické světlo{{3 }} emitující diody (OLED) ve stejném zařízení s vysokou integrací a jednoduššími integračními procesy. Má důležitý vědecký a technický význam v oblasti nového flexibilního displeje a organicky čerpaného laseru.
In recent years, Dong Huanli's research group from the Organic Solids Laboratory, Institute of Chemistry, Chinese Academy of Sciences has been working on the preparation of OLET core high-mobility light-emitting organic semiconductor materials ( Nat. Commun., 2015, 6, 100032; J. Am. Chem. Soc., 2017, 139, 17261; J. Am. Chem. Soc., 2020, 142, 6332; Angew. Chem. Int. Ed., 2021. 60, 14902) and OLET device construction (Adv. Mater., 2019, 31, 1903175; Angew. Chem. Int. Ed., 2021, 60, 20274; Adv. Mater., 2021, 2007149; Adv. Mater., 2021, 2100704).
S ohledem na potřeby různorodých zobrazovacích aplikací, jako jsou morfologické,{0}}náklady a snadné přizpůsobení, výzkumníci navrhli nový typ tradičního vertikálního zařízení OLET se složitým procesem, špatnou stabilitou a nízkým poměrem clony způsobeným lineárním světlem. -vysílací forma planárních zařízení OLET. Světelný zdroj rovinného povrchu opouští strukturu zařízení OLET (CTB-OLET, obrázek 1).
Obrázek 1 Nový typ primitivního zobrazovacího zařízení OLET s plochým povrchem světla
Ve struktuře zařízení je mezi světelnou -jednotku vyzařující světlo a přenosovou vrstvu zavedena vyrovnávací vrstva pro přenos náboje (vrstva CTB), která účinně reguluje rozložení proudu pod vrstvou vyzařující světlo-odtoku a hraje důležitou roli v emisi povrchových světelných zdrojů. účinek.
Simulace ukazují, že zavedení CTB transportní vrstvy náboje v planárním OFET zařízení mění laterální rozložení elektrického pole v tradičním planárním OFET zařízení, čímž se zlepšuje rovnoměrnost rozložení náboje pod kolektorovou elektrodou. Tohoto jevu je dosaženo navržením struktury zařízení s dělenou elektrodou. Dobře potvrzeno.
Based on this device structure, a suitable light-emitting layer was introduced to prepare a flat surface light source OLET display device element with RGB three primary colors, which showed good gate control capability (on-off ratio>10 6 ) and was not immune to gate voltage. Affects the shape of the area light's glow.
Further due to the flexible design of the device structure, a large aperture ratio OLET display device based on a U-shaped drain electrode was studied and prepared (in the case of considering the area occupied by necessary components such as supporting circuits and switching transistors in the actual pixel, the opening rate can still be >80 procent).
Zároveň je díky jedinečnému napěťově -napájenému zobrazovacímu zařízení snadné dosáhnout saturované provozní oblasti, a tak vykazuje dobrou stabilitu nezávislou na zdrojovém-odtokovém napětí. Toto ploché integrované zobrazovací zařízení OLET s velkým poměrem apertury má jedinečné výhody v oblasti zpracování při nízkých-teplotách, světelné flexibilitě a kompatibilitě s procesy OLED. dobré vyhlídky na uplatnění.
Nedávno byly výsledky souvisejícího výzkumu publikovány v Advanced Materials. Výzkumná práce byla podporována Národní nadací pro přírodní vědy Číny, Ministerstvem vědy a technologie a Čínskou akademií věd.
