Guangmai Technology je profesionální v výrobě 1W 3W žlutého 3535 SMD LED čipu 585nm 590nm 595nm.
Polovodičově žlutá LED technologie dosáhla průlomového pokroku
Po 57 letech vývoje dosáhly led diody viditelného světla plné barvy, což lidem poskytuje barevné vizuální hostiny a vysoce účinné zdroje energeticky úsporné osvětlení. Po dlouhou dobu je však vývoj barevné účinnosti LED světla (účinnost světelné energie) velmi nevyvážený. Mezi nimi je světelná účinnost žluté LED mnohem nižší než u jiných barev. V důsledku toho musí být žluté světlo s vysokou účinností světla získáno přeměnou fosforu na vlnovou délku. Toto "elektricko-optické" řešení konverzní technologie je v současné době běžnou technologií LED osvětlení. Fosfor má však inherentní nedostatky v procesu přeměny světla na světlo, jako jsou velké tepelné ztráty, velké teplo a rozpad světla a pomalá odezva, které omezují rychlý vývoj LED ve směru vysoce kvalitního osvětlení a vysokorychlostní komunikace viditelného světla.
Proto se řešení "žluté světelné mezery" stalo atraktivním cílem v této oblasti. Jaký druh substrátu, materiálu, struktury zařízení, struktury třísek a zařízení lze použít k výrobě vysoce účinných žlutých LED diod? Doma ani v zahraničí dlouho neexistuje odpověď.
Ve dvou systémech materiálu žlutého světla, jak se vlnová délka AlGaInP mění z červeného na žluté světlo, se mezera pásma mění z přímého na nepřímý a účinnost prudce klesá. Jedná se o fyzické úzké místo; zatímco nitritm indium gallium je přímá pásová mezera, která je největší Problém je pěstovat vysoce kvalitní materiál indium galliového dusíku s vysokým obsahem indiového gallia, což je technické úzké místo. Složení india žluté LED kvantové studny je asi 30%, což zjevně přesahuje indium složení modré kvantové studny asi 15%. Existuje mnoho obtíží v růstu dusíku z indiového gallia s vysokým obsahem india: nízká růstová teplota způsobuje praskání čpavku, méně volných míst dusíku, pomalou migraci atomů a drsný povrch, chlupatá a bariérová rozhraní s různými tloušťkami, nerovnoměrné složení india a oddělenou fázi segregace india, silná polarizace InGaN / GaN přináší méně překrývání funkcí nosných vln a tak dále.
Nedávno výzkumná skupina Jiang Fengyi z Nanchang University publikovala článek ve photonics research: Efficient InGaN Yellow Light-emitující diody, který prokázal průlomový pokrok v technologii návrhu a výroby LED materiálů žlutého světelného pásma. Na základě původních modrých LED materiálů, struktury zařízení a struktury třísek na bázi GaN/Si navrhli nové materiálové struktury, nové růstové vybavení a nové procesy. Tři hlavní neshody (neshoda velkých tepelných expanzních koeficientů, neshoda šířky velké šířky pásu a neshoda velkých mříží) proměnili ve tři hlavní výhody.
Výzkumná skupina vynalezla metodu a technologii růstu materiálu založenou na mřížce. Na substrátu je vyrobena pravidelná mřížka, která nahrazuje nepravidelné praskliny, což eliminuje akumulační účinek GaN / Si napětí a řeší problém trhlin způsobených materiálem. Problém s tím, že není schopen vyrábět čipy vyzařující světlo, má také výhodu pěstování vysoce výkonných materiálů nitritu indiového gallia s vysokým obsahem india díky udržování GaN pod napětím v tahu.
Vědci vynalezli strukturu LED čipu na bázi křemíku s vysokou účinností odsávání světla nastavením aktuálního směru, polohy výstupu světla a dráhy vyzařování světla, která nejenže řeší problém absorpce substrátu světla a blokování elektrod světla, ale má také výhody jednostranných emisí světla a kvality dálkových světel. Vyvinutá nová integrovaná přechodová vrstva nejen řeší problém vysoké dislokace, ale také racionálně využívá dislokace k vytvoření struktury zařízení s velkými V jámami, zlepšuje cestu přenosu otvorů a zlepšuje účinnost LED.
Na základě přeměny tří hlavních nesouladů na tři hlavní výhody upravili transportní dráhu a depozitní mechanismus reakčního plynu, vynalezli hustou komoru reakce struktury koaxiálního pouzdra a vyvinuli vysoce indiovou složku, která je výhodnější pro začlenění india. Zařízení pro růst materiálu nitrinu indiového gallia zvyšuje růstovou teplotu materiálu, snižuje paměťový efekt a činí kvantovou studnu a bariérové rozhraní strmým; poháněné proudovou hustotou 20A/cm2 a 3 A/cm2, 565nm žluté LED světlo na bázi křemíku Účinnost byla zvýšena na 24,3% a 33,7%, což odpovídá 149 lm/ W a 192 lm / W, čímž se účinně zmírní žlutá mezera a vyřeší problém nedostatku vysoce účinného žlutého světla v LED diodách na světě.
Materiálová struktura je křemíkový substrát indium gallium dusid vícenásobná kvantová struktura studny s trojrozměrnou P-N křižovatkou s velkými V jámami a čip je jednostranná struktura vyzařující světlo, tenkožné fólie.
Žlutá a oranžová/oranžová barva smd led světelný efekt
Elektrické specifikace:
Velikost balíčku:
Aplikace
Více Guangmai
Shenzhen Guangmai Technology Co,, Ltd. je elektronický technologický podnik integrující výzkum a dém, výrobu, prodej a servis. Od svého založení společnost dodržuje obchodní filozofii "integrity, zaměření a inovace", specializující se na UV LED, hluboké ultrafialové LED, 265-405nm: 2835 fialové, 3535 fialové 1414 fialové UV modul, 6868 fialové, 7070 fialové, 5050 fialové , 3838 fialové světlo 1212 fialové světlo, a COB integrované LED fialové světlo, napodobující lumen high-power LED fialové světlo, výzkum a vývoj a výroba speciálních UV světelných zdrojů. Po neutuchajícím úsilí uv LED ultrafialové světlo vytvrzování, pulzní ultrafialové vytvrzování světla, UV LED inkoustová tiskárna, biomedicína, policejní detekce a analýza světelného zdroje, růstová lampa rostlin, vědecký výzkum vícepásmový světelný zdroj, ultrafialová sterilizace, LED fotonová lékařská péče, ošetření ultrafialovou vodou , zpracování zeleniny, zpracování vzduchu atd. Naším cílem je: přežít kvalitou, usilovat o spolupráci s integritou.
Datový list:
Pro více informací prosím neváhejte kontaktovat Guangmai Tech přímo.
Datový list 1W 3W Yellow 3535 SMD LED čip 585nm 590nm 595nm si můžete stáhnout z hlavy této stránky.
Populární Tagy: 1w 3w žlutá 3535 smd led čip 585nm 590nm 595nm, Čína, výrobci, dodavatelé, továrna, cena, levné, nabídka, datový list, specifikace, specifikace
